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高压加热器构造图低压加热器职业道理低压加热器温

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  金融界2024年10月31日信息,国度学问产权局讯息显示,日日新半导体架构股份有限公司申请一项名为“拥有效于电力传输、电力供应网与信号传输的地下互连的半导体电途构造”的专利,公然号 CN 118841417 A,申请日期为2024年4月。

  专利摘要显示,本发觉供应拥有地下互联机的半导体电途构造,地下互联机正在半导体基板内且用于信号与电力传输。此中,半导体电途构造蕴涵拥有原始半导体表观的半导体基板、基于半导体基板而造成的第一组PMOS晶体管、相邻于第一组PMOS晶体管且沿着第一偏向延长的第一浅沟槽分开(STI)区、正在第一STI区内且位于原始半导体表观下方的第一地下互联机、以及通过第连续接穿孔电性维系第一地下互联机的第一电源电压。每一PMOS晶体管蕴涵栅极构造、第一导电区与第二导电区。第一地下互联机沿着第一偏向延长。每一PMOS晶体管的第一导电区电性维系第一地下互联机。

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